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動態隨機存取記憶體單元中之冠狀電容的設計
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後設資料
資料識別:
A01001445
資料類型:
期刊論文
著作者:
蔣忠誠(Chiang, Chung-cheng)
主題與關鍵字:
冠狀電容 犧牲層 接觸開口 選擇性蝕刻 非等向性蝕刻 介電層 Crown-type capacitor Contact opening Selectively etching Anisotropically etching Dielectric layer Sacrificial layer
描述:
來源期刊:修平學報
卷期:2 民90.03
頁次:頁221-231
日期:
20010300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
蔣忠誠(Chiang, Chung-cheng)(20010300)。[動態隨機存取記憶體單元中之冠狀電容的設計]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/61/6a/8d.html(2024/09/13瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/61/6a/8d.html
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