Retardation of Epitaxial Realignment by Implantation of Argon in P狇/N Poly-Si or α-Si Emitter Diode

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資料識別:
A01000600
資料類型:
期刊論文
著作者:
李隆盛(Lee, Lurng-shehng) 李崇仁(Lee, Chung-len)
主題與關鍵字:
氬離子植入 磊晶排列 複晶射極二極體 Ar implantation Epitaxial realignment Polyemitter diode
描述:
來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
卷期:8:1 民90.02
頁次:頁1-7
日期:
20010200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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