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利用分子束磊晶成長高銦含量氮化銦鎵之太陽能薄膜材料
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資料識別:
A11045097
資料類型:
期刊論文
著作者:
王彥欣(Wang, Yan-hsin) 霄玟佑(Shiau, Wen-yu) 龔峻弘(Kung, Chun-hung) 陳偉立(Chen, Wei-li) 蕭文澤(Hsiao, Wen-tse)
主題與關鍵字:
電漿輔助分子束磊晶法 氮化銦鎵 原子力顯微鏡 光致螢光 X光繞射儀 Plasma-assisted molecular-beam epitaxy PA-MBE InGaN Atomic force microscopy AFM Photoluminescence PL X-ray diffraction XRD
描述:
來源期刊:台電工程月刊
卷期:758 2011.10[民100.10]
頁次:頁66-79
日期:
20111000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
王彥欣(Wang, Yan-hsin) 霄玟佑(Shiau, Wen-yu) 龔峻弘(Kung, Chun-hung) 陳偉立(Chen, Wei-li) 蕭文澤(Hsiao, Wen-tse)(20111000)。[利用分子束磊晶成長高銦含量氮化銦鎵之太陽能薄膜材料]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/6e/c9.html(2017/03/27瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/6e/c9.html
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