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二氧化鈦電阻式記憶體之特性
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後設資料
資料識別:
A11044044
資料類型:
期刊論文
著作者:
鄭建民(Cheng, Chien-min) 陳開煌(Chen, Kai-huang)
主題與關鍵字:
射頻磁控濺鍍 基板 漏電流 電阻式記憶體 RF magnetron sputtering Substrate Leakage current Resistive random access memory
描述:
來源期刊:南臺科技大學學報
卷期:36:1 2011.04[民100.04]
頁次:頁25-34
日期:
20110400
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
鄭建民(Cheng, Chien-min) 陳開煌(Chen, Kai-huang)(20110400)。[二氧化鈦電阻式記憶體之特性]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/6a/b5.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/6a/b5.html
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