高介電質柵級絕緣層氧化物Ga₂O₃(Gd₂O₃) 與高空穴遷移率Ge介面之電子結構研究
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- 資料識別：
- A11036837
- 資料類型：
- 期刊論文
- 主題與關鍵字：
- 高介電質柵級絕緣層氧化物 高空穴遷移率 電子結構
- 描述：
- 來源期刊:國家同步輻射研究中心簡訊
- 卷期:78 2011.09[民100.09]
- 頁次:頁12
- 日期：
- 20110900
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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