功率元件--GaN on Silicon磊晶製程技術

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A11036548
資料類型:
期刊論文
著作者:
廖宸梓 郭威宏 林素芳
主題與關鍵字:
功率元件 氮化鎵磊晶片 製程技術
描述:
來源期刊:電力電子
卷期:9:5 2011.09[民100.09]
頁次:頁38-45
日期:
20110900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

論工程仲裁中最具爭議性之前置程序問題
IC光阻材料技術發展
試介李勤岸、胡民祥、莊柏林、路寒袖、...
三合一行動盤點系統之研發
撥號選接器監測與管理系統之發展
最高行政法院九十年度裁字第七九六號裁...