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功率元件--GaN on Silicon磊晶製程技術
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後設資料
資料識別:
A11036548
資料類型:
期刊論文
著作者:
廖宸梓 郭威宏 林素芳
主題與關鍵字:
功率元件 氮化鎵磊晶片 製程技術
描述:
來源期刊:電力電子
卷期:9:5 2011.09[民100.09]
頁次:頁38-45
日期:
20110900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
廖宸梓 郭威宏 林素芳(20110900)。[功率元件--GaN on Silicon磊晶製程技術]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/49/d1.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/5f/49/d1.html
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