絕緣層置於環型佈植區以提高互補式金屬氧化物半導體之性能

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資料識別:
A11027049
資料類型:
期刊論文
著作者:
許文瑋 賴昭昀 何偉碩 劉致為
主題與關鍵字:
環型佈植區 電介質 嵌入式絕緣體 Insulating halo Embedded insulator Dielectric
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:18:2 2011.06[民100.06]
頁次:頁2-7
日期:
20110600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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