高密度電漿源氣流場模擬分析
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- 資料識別：
- A11021995
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 董福慶 吳佩珊 趙修武 林重勳 魏大欽
- 主題與關鍵字：
- 微晶矽 薄膜沉積 數值模擬 電漿輔助化學氣相沉積 Microcrystalline silicon Thin film deposition Numerical simulation PECVD
- 描述：
- 來源期刊:機械工業
- 卷期:338 2011.05[民100.05]
- 頁次:頁87-96
- 日期：
- 20110500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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