新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用
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- 資料識別：
- A11017167
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 何焱騰(Ho， Yen-teng) 涂欣元(Tu， Hsing-yuan) 任樹森(Zung， Shu-suan) 李清源(Lee， Ching-yuan) 洪國洋(Horng， Kuo-yang)
- 主題與關鍵字：
- 氮化鎵 氮化鋁銦 高速電晶體 微波功率 GaN AlInN HEMT RF power
- 描述：
- 來源期刊:新新科技年刊
- 卷期:7 2011.01[民100.01]
- 頁次:頁178-185
- 日期：
- 20110100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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- 管理單位：知識服務組-期刊
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