高導熱矽晶片成長氮化鎵磊晶技術之研究
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- 資料識別：
- A11017166
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 何焱騰(Ho， Yen-teng) 任樹森(Zung， Shu-suan) 李清源(Lee， Ching-yuan) 洪國洋(Horng， Kuo-yang) 張翼(Chang， Edward Yi)
- 主題與關鍵字：
- 有機氣相沉積 氮化鎵 電子遷移率 緩衝層 氮化鋁 氮化鋁鎵 MOCVD GaN Mobility Buffer layer AlN AlGa
- 描述：
- 來源期刊:新新科技年刊
- 卷期:7 2011.01[民100.01]
- 頁次:頁169-177
- 日期：
- 20110100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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- 管理單位：知識服務組-期刊
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