具有不同界面層材料之奈米級高介電絕緣層互補金氧半場效應電晶體研究

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資料識別:
A11013309
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen) 許志謙(Hsu, Chih- chien) 賴信誠(Lai, Hsin-cheng) 葉文冠(Yeh, Wen-kuan) 陳育廷(Chen, Yu-ting)
主題與關鍵字:
高介電係數 閘極漏電流 界面層 電荷汲引技術 High dielectric constant Gate leakage current Interface layer Charge pumping technology
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:37:1 2011.02[民100.02]
頁次:頁77-83
日期:
20110200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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