超接面金氧半功率場效電晶體之技術發展分析

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資料識別:
A11012483
資料類型:
期刊論文
著作者:
魏拯華 李隆盛 蔡銘進
主題與關鍵字:
超接面技術 深溝槽技術 電荷平衡 高深寬比
描述:
來源期刊:電力電子
卷期:9:2 2011.03[民100.03]
頁次:頁35-41
日期:
20110300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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