Ultrafast Strain-Induced Electronic Transport in a GaAs p-n Junction Dio
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- 資料識別：
- A11011502
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- Moss， D M Akimov， A V Campion， R P Kent， A J
- 描述：
- 來源期刊:Chinese Journal of Physics
- 卷期:49:1 2011.02[民100.02]
- 頁次:頁499-505
- 日期：
- 20110200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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- 管理單位：知識服務組-期刊
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