IR最新30V MOSFET降低導通電阻達50%

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資料識別：

C02070750

資料類型：

期刊論文

描述：

來源期刊:Compo Tech 元件科技雜誌

卷期:35 民91.03

頁次:頁113

來源：

臺灣期刊論文索引系統

管理權：

國家圖書館

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管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
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引用這筆典藏

引用資訊

作者不詳（年代不詳）。[IR最新30V MOSFET降低導通電阻達50%]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/57/04/35.html（2017/03/26瀏覽）。

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http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/57/04/35.html

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