IR推出突破性雙面冷卻封裝技術--DirectFET加倍DC-DC轉換器電流密度

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
C02070727
資料類型:
期刊論文
描述:
來源期刊:Compo Tech 元件科技雜誌
卷期:34 民91.02
頁次:頁124
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

應用綠色螢光蛋白報導基因探討蝴蝶蘭癒...
明鄭時期臺灣「名士佛教」的特質分析
中國古代青銅器的銹蝕產物與其造成的機...
咽喉異物感的探討
十七個灰樹花菌株遺傳多樣性的ISSR...
人類幹細胞研究的法議題