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單晶二氧化鈰薄膜於鑭鋁氧基板之室溫生長與結構特性研究
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資料識別:
A10005482
資料類型:
期刊論文
著作者:
張國樞(Chang, Kuo-shu) 何焱騰(Ho, Yen-teng) 吳建忠(Wu, Chen-chung) 朱富權(Chu, Fu-chiuan) 謝立人(Hsieh, Li-zen)
主題與關鍵字:
脈衝雷射沈積 磊晶生長 二氧化鈰 Pulsed laser deposition Epitaxial growth Cerium dioxide
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:38:1(A) 2009.11[民98.11]
頁次:頁107-114
日期:
20091100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
張國樞(Chang, Kuo-shu) 何焱騰(Ho, Yen-teng) 吳建忠(Wu, Chen-chung) 朱富權(Chu, Fu-chiuan) 謝立人(Hsieh, Li-zen)(20091100)。[單晶二氧化鈰薄膜於鑭鋁氧基板之室溫生長與結構特性研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/20/2a.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/20/2a.html
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