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高速化合物半導體近期之發展與應用
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後設資料
資料識別:
A10004820
資料類型:
期刊論文
著作者:
邱顯欽
主題與關鍵字:
高電子移導率場效電晶體 異質接面雙極性電晶體 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 HEMT HBT GaAs InP GaN
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:16:4 2009.12[民98.12]
頁次:頁26-34
日期:
20091200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
邱顯欽(20091200)。[高速化合物半導體近期之發展與應用]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/1d/ab.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/1d/ab.html
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