高速化合物半導體近期之發展與應用

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資料識別:
A10004820
資料類型:
期刊論文
著作者:
邱顯欽
主題與關鍵字:
高電子移導率場效電晶體 異質接面雙極性電晶體 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 HEMT HBT GaAs InP GaN
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:16:4 2009.12[民98.12]
頁次:頁26-34
日期:
20091200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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