The Investigation of Morphological Evolution and Electrical Characteristics of Anodic Oxidized Gd-Oxide on Stacked Gate Structure

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資料識別:
A10045623
資料類型:
期刊論文
著作者:
黃琪聰(Huang, Chi-tsung) 柯鴻禧(Ko, Hong-hsi) 王嘉安(Wang, Chia-an)
主題與關鍵字:
金屬氧化物半導體 堆疊閘極氧化層 氧化釓 陽極氧化 MOS Stacked gate oxide Gd₂O₃ Anodic oxidation
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:39:2(A) 2010.11[民99.11]
頁次:頁11-21
日期:
20101100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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