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氧化鈰薄膜在奈米級金氧半電容器之研究
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資料識別:
A10045185
資料類型:
期刊論文
著作者:
邱福千(Chiu, Fu-chien) 李俊諺(Lee, Chun-yen) 陳柏翰(Chen, Po-han) 陳奕愷(Chen, Yi-kai) 陳俊維(Chen, Chun-wei) 王致皓(Wang, Zhi-hao) 李榮原(Lee, Rung-yuan) 李博揚(Lee, Po-yang)
主題與關鍵字:
高介電閘極介電質 氧化鈰 傳導機制 High-k gate dielectric Cerium oxide Conduction mechanism CeO₂
描述:
來源期刊:資訊電子學刊
卷期:4:1 2009.10[民98.10]
頁次:頁1-5
日期:
20091000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
邱福千(Chiu, Fu-chien) 李俊諺(Lee, Chun-yen) 陳柏翰(Chen, Po-han) 陳奕愷(Chen, Yi-kai) 陳俊維(Chen, Chun-wei) 王致皓(Wang, Zhi-hao) 李榮原(Lee, Rung-yuan) 李博揚(Lee, Po-yang)(20091000)。[氧化鈰薄膜在奈米級金氧半電容器之研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/18/7b.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/18/7b.html
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