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InP化學蝕刻與指狀透明金屬電極對正面耦光型光檢測器的效應
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資料識別:
A10041046
資料類型:
期刊論文
著作者:
楊奇達(Yang, Chyi-da) 雷伯薰(Lei, Po-hsun) 王琮民(Wang, Cong-min) 夏琳傑(Xia, Lin-jie) 龔育呈(Kung, Yu-cheng) 林佳德(Lin, Chia-te)
主題與關鍵字:
砷化銦鎵檢光器 化學蝕刻 光響應 銦鋅氧化物 InGaAs photodiode Chemical etching Responsivity Indium zinc oxide IZO
描述:
來源期刊:真空科技
卷期:23:3 2010.09[民99.09]
頁次:頁13-21
日期:
20100900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
楊奇達(Yang, Chyi-da) 雷伯薰(Lei, Po-hsun) 王琮民(Wang, Cong-min) 夏琳傑(Xia, Lin-jie) 龔育呈(Kung, Yu-cheng) 林佳德(Lin, Chia-te)(20100900)。[InP化學蝕刻與指狀透明金屬電極對正面耦光型光檢測器的效應]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/08/a8.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/08/a8.html
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