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電阻式記憶體--高微縮性與電阻分布、讀取擾動抵抗性的改善
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後設資料
資料識別:
A10040700
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳佑昇
主題與關鍵字:
電阻式記憶體 高微縮性 非揮發性記憶體 RRAM
描述:
來源期刊:電光先鋒
卷期:13 2010.01[民99.01]
頁次:頁72-75
日期:
20100100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳佑昇(20100100)。[電阻式記憶體--高微縮性與電阻分布、讀取擾動抵抗性的改善]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/07/52.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/56/07/52.html
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