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The Effects of Shower Head Orientation and Substrate Position on the Uniformity of GaN Growth in a HVPE Reactor
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後設資料
資料識別:
A10038642
資料類型:
期刊論文
著作者:
Lan, W. C. Tsai, C. D. Lan, C. W.
主題與關鍵字:
GaN HVPE Reactor design Computer simulation
描述:
來源期刊:Journal of the Taiwan Institute of Chemical Engineers
卷期:40:4 2009.07[民98.07]
頁次:頁475-478
日期:
20090700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
Lan, W. C. Tsai, C. D. Lan, C. W.(20090700)。[The Effects of Shower Head Orientation and Substrate Position on the Uniformity of GaN Growth in a HVPE Reactor]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/fb/8e.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/fb/8e.html
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