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高密度電漿源的模擬與量測分析
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資料識別:
A10035516
資料類型:
期刊論文
著作者:
董福慶 吳佩珊 陳家銘 林重勳 魏大欽 趙修武 吳慶輝
主題與關鍵字:
微晶矽 矽薄膜生長 電漿輔助化學氣相沉積 數值模擬 Microcrystalline silicon Thin film deposition PECVD Numerical simulation
描述:
來源期刊:機械工業
卷期:326 2010.05[民99.05]
頁次:頁76-86
日期:
20100500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
董福慶 吳佩珊 陳家銘 林重勳 魏大欽 趙修武 吳慶輝(20100500)。[高密度電漿源的模擬與量測分析]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/ef/a8.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/ef/a8.html
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