退火氮化矽薄膜製備矽量子點

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A10031777
資料類型:
期刊論文
著作者:
黎沛伶 高騏 劉建惟 戴寶通
主題與關鍵字:
熱退火 矽量子點 氮化矽 Thermal annealing Silicon quantum dots Silicon nitride
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:17:2 2010.06[民99.06]
頁次:頁42-46
日期:
20100600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

戰國至漢初的儒學傳承--以楚地簡帛為...
石化工業區廢水處理廠放流水與冷卻水回...
臺灣中部蓮華池地區低海拔常綠闊葉林4...
臺灣地區麻雀糞便內寄生蟲種類之分析
明鄭時期臺灣「名士佛教」的特質分析
如何妥善因應及減少慢性C型肝炎病患在...