Thermal Stress and Strain in a GaN Epitaxial Layer Grown on a Sapphire Substrate by the MOCVD Method
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- 資料識別：
- A10025705
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- Alaei， H. R. Eshghi， H. Riedel， R. Pavlidis， D.
- 描述：
- 來源期刊:Chinese Journal of Physics
- 卷期:48:3 2010.06[民99.06]
- 頁次:頁400-407
- 日期：
- 20100600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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