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不同製程溫度對RF-CBE成長InN薄膜之影響
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資料識別:
A10020858
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳維鈞 郭守義 柯志忠 蘇健穎 趙志剛 蕭健男
主題與關鍵字:
氮化銦 製程溫度 CBE
描述:
來源期刊:真空科技
卷期:19:2 民95.11
頁次:頁77-80
日期:
20061100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳維鈞 郭守義 柯志忠 蘇健穎 趙志剛 蕭健男(20061100)。[不同製程溫度對RF-CBE成長InN薄膜之影響]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/b3/fb.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/b3/fb.html
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