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Evaluation of an Ultra-thin Sputtered TaC Layer as Diffusion Barrier for Copper Metallization
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後設資料
資料識別:
A10020831
資料類型:
期刊論文
著作者:
許禎祥 鄭鈞元 李岳修 吳偉立 楊立中
描述:
來源期刊:真空科技
卷期:19:2 民95.11
頁次:頁7-12
日期:
20061100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
許禎祥 鄭鈞元 李岳修 吳偉立 楊立中(20061100)。[Evaluation of an Ultra-thin Sputtered TaC Layer as Diffusion Barrier for Copper Metallization]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/b3/e2.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/b3/e2.html
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