高介電係數金屬氧化物閘介電層在液晶薄膜電晶體之應用
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- 資料識別：
- A10020648
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 鄭錦隆(Cheng， Chin-lung)
- 主題與關鍵字：
- 液晶薄膜電晶體 閘介電層 TFT-LCD
- 描述：
- 來源期刊:真空科技
- 卷期:18:4 民95.02
- 頁次:頁44-51
- 日期：
- 20060200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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