Passivated the Surface of GaAs Photodetectors Using the Photoelectrochemical Oxidation Method
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A10020641
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- Lee， Hsin-ying Chen， Tzu-yu Chan， Hsun-cheng Lin， Yuan-fu Wang， Ming-yi Lee， Ching-ting
- 主題與關鍵字：
- GaAs In0.5(Al0.66Ga0.34) 0.5P Metal-semiconductor-metal photodetectors Photoelectronchemical oxidation method Passivation layer
- 描述：
- 來源期刊:真空科技
- 卷期:18:4 民95.02
- 頁次:頁15-21
- 日期：
- 20060200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
