A Low Leakage Current in SiGe Hetro-junction FET Using by ICP Dry Etching Process
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- 資料識別：
- A10020483
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 李軍鑫(Lee， Chun-hsin) 吳三連(Wu， San-lein) 羅培倫(Lo， Pei-lun) 張守進(Chang， Shoou-jinn) 林育名(Lin， Yu-min) 王子睿(Wang， Tzu-juei)
- 描述：
- 來源期刊:真空科技
- 卷期:18:3 民94.12
- 頁次:頁37-41
- 日期：
- 20051200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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- 管理單位：知識服務組-期刊
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