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非真空塗佈法製備I-III-VI族化合物CuGaSe₂薄膜之研究
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資料識別:
A10002037
資料類型:
期刊論文
著作者:
廖士運(Liao, S. Y.) 劉家瑋(Liu, C. W.) 葉冠成(Yeh, K. C.) 許朝凱(Hsu, C. K.) 陳伯宜(Chen, B. Y.) 楊立中(Yang, L. C.)
主題與關鍵字:
銅銦鎵硒 銅鎵二硒 光電元件 非真空 塗佈法 CIGS CuGaSe₂ CGSe Photovoltaic devices Non-vacuum Printing processes
描述:
來源期刊:工業材料
卷期:276 2009.12[民98.12]
頁次:頁69-74
日期:
20091200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
廖士運(Liao, S. Y.) 劉家瑋(Liu, C. W.) 葉冠成(Yeh, K. C.) 許朝凱(Hsu, C. K.) 陳伯宜(Chen, B. Y.) 楊立中(Yang, L. C.)(20091200)。[非真空塗佈法製備I-III-VI族化合物CuGaSe₂薄膜之研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/ae/dc.html(2024/09/15瀏覽)。
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