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65奈米金氧半製程中具低漏電流之靜電防護電路設計
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後設資料
資料識別:
A10016898
資料類型:
期刊論文
著作者:
王暢資 唐天浩 蘇冠丞 柯明道
主題與關鍵字:
靜電放電 閘極漏電 矽控整流器 ESD Electrostatic discharge Gate leakage Silicon controlled rectifier SCR
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:16:5=178 2010.05[民99.05]
頁次:頁138-147
日期:
20100500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
王暢資 唐天浩 蘇冠丞 柯明道(20100500)。[65奈米金氧半製程中具低漏電流之靜電防護電路設計]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/a0/c5.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/a0/c5.html
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