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高壓nLDMOS電晶體之驟回崩潰維持電壓與其對暫態閂鎖之反應
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後設資料
資料識別:
A09073765
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳穩義 柯明道 黃曄仁
主題與關鍵字:
傳輸線脈波產生系統 維持電壓 閂鎖效應 橫向雙擴散電晶體
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:15:9=170 2009.09[民98.09]
頁次:頁182-190
日期:
20090900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳穩義 柯明道 黃曄仁(20090900)。[高壓nLDMOS電晶體之驟回崩潰維持電壓與其對暫態閂鎖之反應]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/77/1e.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/77/1e.html
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