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使用金屬閘極或多晶矽閘極在HfSiON絕緣層上之元件電性研究
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資料識別:
A09063781
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen) 葉郁龍(Yeh, Yu-long) 賴信誠(Lai, Hsin-cheng) 葉文冠(Yeh, Wen-kuan) 陳育廷(Chen, Yu-ting)
主題與關鍵字:
閘極穿遂漏電流 高介電係數材料 金屬閘極 Direct-tunneling current High-k material Metal gate
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:35:2 2009.08[民98.08]
頁次:頁19-24
日期:
20090800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳啟文(Chen, Chii-wen) 葉郁龍(Yeh, Yu-long) 賴信誠(Lai, Hsin-cheng) 葉文冠(Yeh, Wen-kuan) 陳育廷(Chen, Yu-ting)(20090800)。[使用金屬閘極或多晶矽閘極在HfSiON絕緣層上之元件電性研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/4b/e3.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/4b/e3.html
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