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以電荷汲引技術測量金氧半電晶體之High-k邊緣陷阱縱深及能量分佈與可靠度分析
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資料識別:
A09063664
資料類型:
期刊論文
著作者:
呂君章 張師誠 張廖貴術
主題與關鍵字:
高介電層 電荷汲引 邊緣陷阱 可靠度 High-k dielectric Charge pumping Border trap Reliability
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:15:5=166 2009.05[民98.05]
頁次:頁141-153
日期:
20090500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
呂君章 張師誠 張廖貴術(20090500)。[以電荷汲引技術測量金氧半電晶體之High-k邊緣陷阱縱深及能量分佈與可靠度分析]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/4b/70.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/4b/70.html
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