Layout Dependence of ESD Characteristics on High Voltage LDMOS Transistors

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A09060976
資料類型:
期刊論文
著作者:
Chen, Shuang-yuan Wang, Mu-chun Ho, Shao-min Lin, Wei-yi Jou, Yeh-ning Haung, Heng-sheng
主題與關鍵字:
Electrostatic discharge ESD Transmission line pulsing TLP Laterally diffused MOS LDMOS
描述:
來源期刊:Tamkang Journal of Science and Engineering
卷期:11:4 2008.12[民97.12]
頁次:頁387-394
日期:
20081200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結