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Layout Dependence of ESD Characteristics on High Voltage LDMOS Transistors
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資料識別:
A09060976
資料類型:
期刊論文
著作者:
Chen, Shuang-yuan Wang, Mu-chun Ho, Shao-min Lin, Wei-yi Jou, Yeh-ning Haung, Heng-sheng
主題與關鍵字:
Electrostatic discharge ESD Transmission line pulsing TLP Laterally diffused MOS LDMOS
描述:
來源期刊:Tamkang Journal of Science and Engineering
卷期:11:4 2008.12[民97.12]
頁次:頁387-394
日期:
20081200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
Chen, Shuang-yuan Wang, Mu-chun Ho, Shao-min Lin, Wei-yi Jou, Yeh-ning Haung, Heng-sheng(20081200)。[Layout Dependence of ESD Characteristics on High Voltage LDMOS Transistors]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/3d/6a.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/55/3d/6a.html
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