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堆疊式高介電層與金屬閘極之金氧半元件電性研究
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資料識別:
A09033185
資料類型:
期刊論文
著作者:
傅崇豪 張廖貴術 王義文 簡伯諺 吳文發
主題與關鍵字:
堆疊式高介電層 氧化鋁鉿 矽酸鉿氧化合物 金屬閘極 高功函數 氮化鉬 氮化鈦 High-K dielectric stack HfAlO HfSiO Metal gate High work function MoN TiN
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:16:1 2009.03[民98.03]
頁次:頁18-24
日期:
20090300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
傅崇豪 張廖貴術 王義文 簡伯諺 吳文發(20090300)。[堆疊式高介電層與金屬閘極之金氧半元件電性研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/cf/07.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/cf/07.html
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