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金屬閘極與多晶矽閘極在高介電常數閘極介電層N型金氧半場效電晶體之研究
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資料識別:
A09025988
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen) 黃厚智(Huang, Hou-jhih) 陳穎達(Chen, Ying-da) 賴信誠(Lai, Hsin-cheng) 葉文冠(Yeh, Wen-kuan) 陳育廷(Chen, Yu-ting)
主題與關鍵字:
高介電常數 金屬閘極 Metal gate High-k dielectric
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:35:1 2009.02[民98.02]
頁次:頁57-61
日期:
20090200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳啟文(Chen, Chii-wen) 黃厚智(Huang, Hou-jhih) 陳穎達(Chen, Ying-da) 賴信誠(Lai, Hsin-cheng) 葉文冠(Yeh, Wen-kuan) 陳育廷(Chen, Yu-ting)(20090200)。[金屬閘極與多晶矽閘極在高介電常數閘極介電層N型金氧半場效電晶體之研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/b0/68.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/b0/68.html
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