蝕刻時間對多孔矽結構及反射率之影響分析及應用

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資料識別:
A09020220
資料類型:
期刊論文
著作者:
林嘉洤(Lin, J. C.) 陳芝伊(Chen, J. Y.) 陳義揚(Chen, Y. Y.)
主題與關鍵字:
陽極電化學蝕刻 光激發光現象 多孔矽 反射率 掃瞄式顯微鏡 Etching Photoluminescence Porous silicon Reflectance SEM
描述:
來源期刊:華岡工程學報
卷期:23 2009.01[民98.01]
頁次:頁119-125
日期:
20090100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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