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利用射頻濺鍍系統備製氧化銦錫薄膜於延伸式閘極離子感測場效電晶體之研究
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資料識別:
A09014424
資料類型:
期刊論文
著作者:
江榮隆(Chiang, Jung-lung) 黃安立(Huang, An-li) 詹勳生(Jhan, Syun-sheng)
主題與關鍵字:
射頻濺鍍 氧化銦錫 延伸式閘極場效電晶體 感測度 R.F. sputtering ITO EGFET Sensitivity
描述:
來源期刊:國立高雄海洋科技大學學報
卷期:23 2009.02[民98.02]
頁次:頁79-89
日期:
20090200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
江榮隆(Chiang, Jung-lung) 黃安立(Huang, An-li) 詹勳生(Jhan, Syun-sheng)(20090200)。[利用射頻濺鍍系統備製氧化銦錫薄膜於延伸式閘極離子感測場效電晶體之研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/80/eb.html(2024/09/15瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/54/80/eb.html
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