An InGaP/GaAs/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Step-Emitter Structure
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- 資料識別：
- A07009004
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 蔡榮輝(Tsai， Jung-hui)
- 主題與關鍵字：
- 步階射極 異質接面雙極性電晶體 侷限效應 補償電壓 位障尖峰 Step-emitter Heterojunction bipolar transistor Confinement effect Offset voltage Potential spike
- 描述：
- 來源期刊:高雄師大學報. 自然科學與科技類
- 卷期:21 民95.12
- 頁次:頁37-54
- 日期：
- 20061200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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