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在氟化銨中以光電化學法蝕刻n-Si(100)單晶表面製作微米溝槽
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資料識別:
A07008176
資料類型:
期刊論文
著作者:
林景崎(Lin, J. C.) 陳韋旭(Chen, W. S.) 賴建銘(Lai, C. M.) 楊仁泓(Young, J. H.) 鄭文達(Jheng, W. D.) 蔡明蒔(Tsai, M. S.)
主題與關鍵字:
n-型Si(100)單晶 光電化學蝕刻 氟化銨 n-type(100) silicon Photo-electrochemical etching Ammonium fluoride
描述:
來源期刊:防蝕工程
卷期:20:4 民95.12
頁次:頁353-361
日期:
20061200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
林景崎(Lin, J. C.) 陳韋旭(Chen, W. S.) 賴建銘(Lai, C. M.) 楊仁泓(Young, J. H.) 鄭文達(Jheng, W. D.) 蔡明蒔(Tsai, M. S.)(20061200)。[在氟化銨中以光電化學法蝕刻n-Si(100)單晶表面製作微米溝槽]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/52/63/00.html(2017/03/27瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/52/63/00.html
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