在氟化銨中以光電化學法蝕刻n-Si(100)單晶表面製作微米溝槽
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- 資料識別：
- A07008176
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 林景崎(Lin， J. C.) 陳韋旭(Chen， W. S.) 賴建銘(Lai， C. M.) 楊仁泓(Young， J. H.) 鄭文達(Jheng， W. D.) 蔡明蒔(Tsai， M. S.)
- 主題與關鍵字：
- n-型Si(100)單晶 光電化學蝕刻 氟化銨 n-type(100) silicon Photo-electrochemical etching Ammonium fluoride
- 描述：
- 來源期刊:防蝕工程
- 卷期:20:4 民95.12
- 頁次:頁353-361
- 日期：
- 20061200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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