奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度
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- 資料識別：
- A07003659
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 林政男(Lin， Jeng-nan) 陳俊龍(Chen， Jiun-lung) 蒲佳輝(Pu， Jia-huei) 賴亮林(Lai， Liang-lin) 駱俊銘(Luo， Jiun-ming) 江孟學(Chiang， Meng-hsueh)
- 主題與關鍵字：
- 臨界電壓 摻雜濃度 金氧半場效電晶體 Threshold voltage Doping density MOSFET
- 描述：
- 來源期刊:宜蘭大學工程學刊
- 卷期:2 民95.02
- 頁次:頁27-35
- 日期：
- 20060200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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