On the Evaluation of Double-Gate CMOS Circuit Performance via Different Modeling Techniques
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A07003650
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 江孟學(Chiang， Meng-hsueh)
- 主題與關鍵字：
- 雙閘極金氧半場效電晶體 鰭式場效電晶體 精簡模型 Double-gate MOSFET FinFET TCAD Compact model
- 描述：
- 來源期刊:宜蘭大學工程學刊
- 卷期:2 民95.02
- 頁次:頁15-26
- 日期：
- 20060200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
