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三五族氮化物半導體有機金屬氣相沉積磊晶技術(MOCVD)之發展與未來
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後設資料
資料識別:
A07032383
資料類型:
期刊論文
著作者:
柯宗憲 王德忠 陳俊榮 郭浩中 盧廷昌
主題與關鍵字:
三五族氮化物半導體 有機金屬 氣相沉積磊晶技術 三五族發光半導體 MOCVD
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:13:3=140 2007.03[民96.03]
頁次:頁160-172
日期:
20070300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
柯宗憲 王德忠 陳俊榮 郭浩中 盧廷昌(20070300)。[三五族氮化物半導體有機金屬氣相沉積磊晶技術(MOCVD)之發展與未來]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/51/a3/cf.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/51/a3/cf.html
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