利用多晶矽犧牲層製作奈米厚度單晶矽薄膜
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A07110803
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃敬涵 楊耀渝 張朝喨 李佩雯 李雄 李天賜
- 主題與關鍵字：
- 氫離子 犧牲層 多晶矽 絕緣層矽晶 TMAH蝕刻 Hydrogen ion Sacrificial layer Polysilicon SOI TMAH etching
- 描述：
- 來源期刊:清雲學報
- 卷期:27:1 2007.03[民96.03]
- 頁次:頁51-58
- 日期：
- 20070300
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
