邊際電場效應對於65奈米製程世代之全空乏絕緣層上矽元件的影響
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A07109908
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 馬鳴汶 高國興 趙天生 雷添福
- 主題與關鍵字：
- 邊際電場效應對 65奈米製程 絕緣層 矽元件 互補式金氧半電晶體
- 描述：
- 來源期刊:電子月刊
- 卷期:13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁次:頁162-171
- 日期：
- 20070900
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
