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具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析
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資料識別:
A07109901
資料類型:
期刊論文
著作者:
盧景森 林鴻志
主題與關鍵字:
局部形變 氮化矽覆蓋 緩衝層 熱載子可靠度測試 負偏壓溫度不穩定性
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:13:9=146 2007.09[民96.09]
頁次:頁152-161
日期:
20070900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
盧景森 林鴻志(20070900)。[具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/51/40/d8.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/51/40/d8.html
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