在矽基板上利用鍺緩衝層成長高品質砷化鎵薄膜

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資料識別:
A06093481
資料類型:
期刊論文
著作者:
羅廣禮 楊宗熺 謝炎璋
主題與關鍵字:
矽上砷化鎵 矽鍺 矽上鍺 GaAs on Si SiGe Ge on Si
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:13:3 民95.08
頁次:頁72-74
日期:
20060800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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