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碳奈米管薄膜石墨化程度對場發射特性之影響
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資料識別:
A06093479
資料類型:
期刊論文
著作者:
丁志華 洪英吉 李宗隆
主題與關鍵字:
碳奈米管 石墨化程度 場發射 頂部成長機制 拉曼光譜 Carbon nanotube CNT Degree of graphitization Field emission Tip-growth mechanism Raman spectrum
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:13:3 民95.08
頁次:頁60-65
日期:
20060800
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
丁志華 洪英吉 李宗隆(20060800)。[碳奈米管薄膜石墨化程度對場發射特性之影響]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4d/6d/1e.html(2017/03/24瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4d/6d/1e.html
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